PCDB0865G1_R2_00001_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.42V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

本款碳化硅二极管为独立式单管结构,具备8A的平均正向整流电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高压功率应用。其正向压降(VF)典型值为1.42V,结合碳化硅材料的低反向恢复电荷特性,显著降低开关过程中的能量损耗。器件具有良好的热导率和耐高温能力,可在较高环境温度下稳定运行。典型应用场景包括高效能电源转换器、可再生能源发电系统、储能设备中的整流与续流单元,以及对能效和空间密度要求较高的电力电子装置。

Baidu
map