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本N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的高开关速度与耐高温特性，该器件适用于高频率、高效率的电力电子应用，如高压DC-DC转换器、不间断电源、可再生能源发电中的逆变电路以及高功率密度电源系统，有助于实现更紧凑的设计与更高的能量转换效率。
