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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至260mΩ，有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-5V至!6V，支持可靠驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的耐高温性能与快速开关能力，适用于高频率、高效率的电力转换电路。典型应用涵盖高压DC-DC变换器、不间断电源、光伏逆变系统及高功率密度电源模块，适用于对体积与效率有较高要求的电力电子设计场景。
