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本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，兼容主流驱动电路设计。依托碳化硅材料优势，器件具有出色的耐高温性能、快速开关能力以及较低的开关损耗，适用于高频率工作的拓扑结构。典型应用包括高效能电源转换模块、不间断电源系统、光伏逆变装置、数据中心电源及高功率密度变换器等场合。
