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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和13.3A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为200mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具有出色的开关速度、耐高温性能及长期工作可靠性，适用于高效率电源转换系统，如高频DC-DC变换器、大功率逆变装置、新能源发电单元及高密度电源模块，有助于提升系统功率密度与整体能效水平。
