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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于减少导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高频开关能力，同时降低开关过程中的能量损耗与温升。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高压直流变换装置、可再生能源发电中的逆变单元以及高功率密度电源模块，满足对系统效率和散热性能有较高要求的应用场景。
