TRS8V65H,LQ_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN8X8
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.3V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)低至1.3V。器件利用碳化硅材料特性,实现快速开关响应与高热稳定性,反向恢复时间极短,有效降低开关损耗。适用于高频率、高效率的电源转换场景,如开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器及高密度电源模块,能够在较宽的温度范围内稳定运行,提升系统整体能效与可靠性。

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