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该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，确保了驱动兼容性与工作稳定性。得益于碳化硅材料优异的开关特性与耐高温性能，该器件可在高频、高压环境下可靠运行，广泛用于开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等应用场合，有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。