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本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，在高温与高电压工作环境下仍能保持良好性能。栅源电压范围-5V至!6V，支持稳定栅极驱动控制。碳化硅材料的应用显著提升了器件的开关速度与耐热性，有助于减小系统能量损耗。适用于高效率电源转换设备、不间断电源系统、太阳能逆变模块及紧凑型高频功率电路设计，满足对功率密度与长期可靠性要求较高的应用场景。
