-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源耐压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）为110mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压（VGS）支持-4V至!8V范围，确保驱动稳定性与器件可靠性。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高频开关性能、高温工作能力及反向恢复特性。适用于高效率DC-DC变换器、大功率AC-DC电源模块、可再生能源发电逆变单元以及高功率密度电力转换系统中的主开关元件。
