SIC1060PL8_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN8X8B
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.37V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式器件,具有10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高电压功率转换场景。其正向导通压降(VF)典型值为1.37V,在同类器件中表现出较低的导通损耗,有助于提升系统能效。基于碳化硅材料特性,该二极管具备快速开关响应和优良的热导性能,可支持高频工作模式。广泛应用于高效率电源转换装置、不间断电源系统、可再生能源发电设备以及高密度开关电源模块,满足对小型化、高效化电路设计的需求。

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