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本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为110mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-4V至!8V，确保栅极驱动的稳定性与器件可靠性。依托碳化硅材料优势，该器件支持高频开关操作，具备较低的开关损耗与优异的热性能。适用于高效率开关电源、高压直流变换器、光伏逆变装置及高功率密度电源模块等应用，尤其适合对能效、功率密度和散热管理有较高要求的电力电子系统设计。
