-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至!6V范围，确保器件在驱动电路中的稳定开通与关断。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性、耐高温性能和较低的开关损耗。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、储能系统逆变单元及高密度电源模块，可提升系统整体能效和功率密度。
