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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，在高温与高电压工况下仍能保持优异的导通性能。栅源电压范围-5V至!6V，支持标准驱动电路兼容。基于碳化硅材料的特性，器件具备低开关损耗、高工作频率和良好热稳定性，适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、直流变换模块、可再生能源发电逆变装置及高功率密度电源单元，有助于提升系统能效并减少散热需求。
