-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温稳定性、高开关速度和低开关损耗，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高密度电源适配器、大功率开关电源、可再生能源发电系统中的逆变单元及储能系统的功率调节模块。
