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本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为110mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定可靠的驱动控制。得益于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温工作性能、高开关频率能力及较低的反向恢复电荷，适用于高功率密度与高能效要求的电力电子设计。典型应用涵盖高效电源转换模块、高压直流变换装置及可再生能源发电系统中的功率调节单元。
