LSIC2SD065D08A-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.42V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式器件,具有8A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR),正向压降(VF)低至1.42V。基于碳化硅材料的优异特性,器件具备快速恢复能力和较低的开关损耗,适用于高频、高效率的电力转换电路。其良好的热导性能和耐高温特性,有助于提升系统在严苛工作条件下的稳定性,常用于高性能电源模块、可再生能源逆变系统及高密度电源设计中。

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