PCDB0665G1_R2_00001_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:6A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.36V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式器件,具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),适用于中高压功率转换场合。其正向导通压降(VF)为1.36V,在导通状态下能量损耗较低,有助于提升系统效率。采用碳化硅材料,具备优异的高频开关特性和高温工作稳定性,反向恢复特性接近理想状态,可有效减少开关损耗。适用于高频率、高效率要求的电源拓扑结构,如高效AC-DC、DC-DC转换器、服务器电源及可再生能源发电系统中的功率整流环节。

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