S4D10120E_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.39V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式器件,额定正向电流(IF)为10A,反向重复峰值电压(VR)达1200V,正向压降(VF)为1.39V。基于碳化硅材料特性,具备优异的高温工作能力与高热导率,支持快速开关,反向恢复电荷极低,可有效减少开关损耗。其高耐压与高电流承载能力适用于高功率密度电源系统,如大功率开关电源、高压直流变换装置、光伏逆变器及储能系统中的整流与续流电路,能够在高输入电压与高温条件下维持系统效率与长期运行稳定性。

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