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本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高击穿场强与优良热导率，该器件可在较高结温下可靠运行，具备优异的开关特性与耐压能力。适用于高频率、高效率的电力转换应用，如不间断电源、高压直流变换器、太阳能发电系统中的功率模块以及紧凑型高功率电源装置。
