BCD120S10D2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.39V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管采用独立式配置,具备10A的正向电流(IF)和1200V的反向重复峰值电压(VR),在高电压应用中表现出优异的耐压能力。其正向压降(VF)低至1.39V,有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性,该器件支持高频开关操作,同时具备出色的热稳定性,适用于对功率密度和转换效率有较高要求的电力转换场景,如高效电源模块、可再生能源逆变系统及高可靠性储能装置等。

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