STFU18N65M2-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 50/管装
参数1: ID:15A
参数2: VDSS:650V
参数3: RDON:260mR
参数4: VGS:-5~+16V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V,具备良好的开关特性和热稳定性。得益于碳化硅材料的优异特性,该器件可在高频、高温及高压环境下稳定工作,广泛用于电源变换器、太阳能逆变系统及高密度电源模块中,有助于提升系统整体能效并减小体积。

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