SIC0860PL8_DFN8X8B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN8X8B
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.42V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高频开关条件下表现出优异的导通能力与耐压性能。其正向压降(VF)低至1.42V,有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。器件利用碳化硅材料的特性,具备快速恢复速度和良好的热稳定性,适用于高频率、高效率的电源转换设计。典型应用场景包括开关模式电源、DC-DC转换器及功率因数校正电路,适合对功率密度和转换效率有较高要求的电子设备。

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