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本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统能效。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定的驱动控制与过压保护。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，器件具备优异的高温工作稳定性、快速开关能力及抗雪崩性能。适用于高频率功率变换电路、高效能源转换装置、不间断电源系统以及要求高耐压、低损耗的电力电子拓扑结构中的核心开关应用。
