-------<点击了解更多 + 购买>-------
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有1000V的漏源耐压（VDSS）和36A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为65mΩ，表现出优异的导电性能和较低的开关损耗。基于碳化硅材料的特性，该器件具备良好的热稳定性和高频工作能力，适用于高效率电源转换、智能电网设备、可再生能源系统及高端家电等应用场景，为系统提升能效和可靠性提供有力支持。
