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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压（VGS）支持-5V至!6V范围，具备良好的驱动兼容性与开关稳定性。依托碳化硅材料的高耐压、低反向恢复电荷特性，器件适用于高频、高效率的电力转换拓扑，如PFC电路、DC-AC逆变装置及高功率密度电源模块，可在严苛工作条件下实现优异的热性能与系统可靠性。
