FCPF260N60E-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220F
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 50/管装
参数1: ID:20A
参数2: VDSS:650V
参数3: RDON:160mR
参数4: VGS:-5~+16V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至160mΩ,适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至!6V,确保了稳定可靠的开关控制。得益于碳化硅材料特性,器件具有优异的高温工作能力与开关速度,可显著降低系统能耗并提升功率密度。典型应用包括高频直流变换器、电源模块及高效能适配器等对热性能和电气性能要求较高的场合。

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