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本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为460mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-4V至!8V，支持稳定的栅极驱动控制。得益于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器、光伏逆变装置及高功率密度电源模块等应用，可在高电压、高温环境下保持良好性能，有效减少能量损耗并优化热管理设计。
