SICB0860P-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.42V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高功率密度应用中表现出优异的电气性能。其正向导通压降(VF)低至1.42V,有助于减少导通损耗,提升系统整体能效。基于碳化硅材料的特性,该器件支持更高的开关频率和工作温度,适用于对效率和空间布局有严格要求的电源转换场合,如高效开关电源、光伏逆变模块及高密度DC-DC转换器,能够满足复杂工况下的可靠性需求。

Baidu
map