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本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压额定值（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统热性能。栅源电压范围为-5V至!6V，确保驱动稳定性与器件可靠性。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具有较低的开关损耗和优异的高温工作表现，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统，如大功率开关电源、可再生能源发电逆变装置、储能系统功率转换级及高频率DC-DC变换电路。
