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本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通性能与高效的开关特性。其最大漏极电流ID为165A，导通电阻RDON低至13mΩ，可大幅减少导通损耗，提升系统整体效率。适用于高功率密度电源系统，如高效能电源转换、新能源逆变装置及高频功率变换电路。碳化硅材料赋予器件出色的热稳定性与宽广的工作温度范围，有利于简化散热设计，实现更紧凑、高效的系统架构。
