GC3M0015065D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: ID:120A
参数2: VDSS:650V
参数3: RDON:15mR
参数4: TYPE:N-ch
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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本产品为650V N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),具备120A的连续漏极电流能力,导通电阻低至15mΩ,适用于高效率、大电流的电源转换系统。碳化硅材料的特性使其具备优异的热导率和较高的击穿电场强度,支持高频工作与高效能转换。该器件适用于多种高性能电源应用,如高效开关电源、储能系统、光伏逆变器等,提供出色的电气性能和稳定性,满足复杂工况下的设计要求。

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