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本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高电流、低导通电阻和良好热稳定性的特点。其额定漏极电流ID为120A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDON低至15mΩ，可显著降低导通损耗，提高能量转换效率。碳化硅材料的应用提升了器件的高频响应能力和耐温性能，适用于高功率密度电源系统、高效能逆变器及各类对效率与可靠性有较高要求的电子设备中。