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本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备60A的连续漏极电流能力及40mΩ的超低导通电阻。采用碳化硅半导体技术，显著提升器件的导热效率与开关性能，适用于高功率密度与高频开关应用。其优异的耐高压与低损耗特性，广泛应用于高效能电源系统、新能源储能、智能电网及精密电子设备中，满足对效率与稳定性有严苛要求的电路设计方案。