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本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用先进碳化硅材料工艺，具备高效、低损耗的导电特性。其最大漏极电流ID可达36A，导通电阻RD(ON)低至80mΩ，能够在高电压与大电流环境下稳定工作，适用于高功率密度电源系统、高效能逆变器及高频率开关电源等应用场景。器件具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于多种高要求电子系统的设计与开发。