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本款碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道增强型器件，连续漏极电流可达87.5A，漏源击穿电压为1200V，具备高电压和大电流承载能力，适用于高性能功率转换场景。导通电阻为39mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。碳化硅材料赋予其优异的高温稳定性、高频特性和抗辐射能力，适合复杂电磁环境中的稳定运行。该器件可广泛应用于高效电源、可再生能源系统、精密控制电路以及高可靠性电子设备中，满足对性能与稳定性要求较高的设计需求。