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该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的开关特性与热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高频工作，有效降低开关损耗，适用于高密度电源系统，如高效开关电源、DC-DC转换模块及高功率密度适配器等场景，可提升系统整体能效与可靠性。