BCL65S10D3_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN8X8
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.37V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式配置,具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复电压(VR),正向压降(VF)低至1.37V。采用碳化硅材料,具备优异的高频开关特性与高温工作能力,反向恢复时间极短,可显著降低开关损耗。其高耐压与低导通损耗特性适用于高效率直流-直流转换器、高性能电源模块及可再生能源发电系统中的功率转换电路,适合对能效和功率密度要求较高的应用场景,有助于提升系统整体效率与热性能表现。

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