KN3D10065G_DFN8X8_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN8X8
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IF:10A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.37V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管采用独立式配置,具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),在高电压环境下可有效阻断反向电流。其正向导通压降(VF)典型值为1.37V,有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。得益于碳化硅材料的特性,该器件具有优异的开关性能和高温工作能力,适用于高频率、高效率的电源转换场合,如开关模式电源、功率因数校正电路及直流-直流变换器中,能够满足对功率密度和热管理有较高要求的电力电子设计需求。

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