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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持可靠驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关能力与高温工作稳定性。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源、储能系统中的逆变电路，以及对功率密度和热管理要求较高的紧凑型电力电子装置。
