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本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频、高温及高功率密度的工作环境。典型应用包括高效能电源模块、可再生能源逆变装置、大功率开关电源以及高性能电力转换系统等。