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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持可靠的栅极驱动控制，提升开关稳定性。采用碳化硅半导体材料，具有优异的高温工作性能和快速开关特性，适用于高频率、高效率的功率变换电路。典型应用包括高效电源模块、可再生能源发电系统、储能设备中的逆变电路以及对热管理与空间利用率要求较高的紧凑型电子装置。
