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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持标准驱动电平并具备良好的栅极可靠性。基于碳化硅材料，器件具有优异的开关速度、耐高温性能和较低的反向恢复电荷。适用于高频率、高效率的电力转换拓扑，如图腾柱PFC电路、LLC谐振转换器、高压DC-DC变换器及光伏逆变装置，可提升系统整体能效与功率密度。
