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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持可靠驱动与负压关断，提升系统稳定性。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能、耐高温能力和低开关损耗，适用于高效率电源转换拓扑，如PFC电路、开关电源模块、光伏逆变单元及高功率密度DC-AC变换装置，适合对能效和热管理有严苛要求的应用场景。
