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该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至!6V，具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件可在高频、高温环境下可靠运行，广泛用于电源转换、能源变换及高密度功率模块等应用，有助于提升系统整体能效与功率密度。