IDK08G65C5XTMA2-HXY_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.42V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

该碳化硅二极管采用独立式配置,具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)为1.42V。其基于碳化硅材料的特性,展现出优异的开关性能和较高的工作温度能力。该器件适用于需要高效能功率转换的场合,可用于电源转换系统、可再生能源逆变装置以及高频率开关电路中,有助于提升系统整体效率并减小散热设计负担,是现代高功率密度电子设备中的关键元件。

Baidu
map