G5S12008D_TO-263N_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-263N
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 800/圆盘
参数1: IF:8A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.45V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式器件,具备8A的正向电流(IF)和1200V的反向耐压(VR),适用于高电压、中等电流的电力转换场景。其正向导通压降(VF)典型值为1.45V,较传统硅器件更低,有助于减少导通损耗,提升能效。基于碳化硅材料特性,该二极管具有优异的高频开关能力,反向恢复特性良好,可降低开关损耗并减小散热需求。适用于高效率电源系统,如通信电源、光伏逆变器、不间断电源及高密度DC-DC转换器,支持在高温环境下稳定运行。

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