-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），基于碳化硅材料打造，具备优异的导热性、耐高温性及高击穿电压能力。器件漏极电流ID可达120A，导通电阻RDON低至16mΩ，显著降低导通损耗，提升系统能效。适用于高功率、高频率的电力转换系统，如大功率电源设备、能源存储变换器及智能电网控制单元，能够在复杂电气环境下实现高效、稳定的运行表现。