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本产品为1200V耐压的碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备81A的连续漏极电流能力，导通电阻低至21mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。器件基于碳化硅材料，具备优异的热稳定性和开关性能，适合用于电源适配器、新能源设备、智能电网以及高密度电源系统中，提供高效、可靠的电力控制与转换功能。