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本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至260mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定驱动与安全关断。依托碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关环境，常见于高效电源转换电路、不间断电源系统、可再生能源发电单元以及高功率密度DC-DC变换器中，满足对热性能和转换效率要求较高的设计需求，有助于实现紧凑型、高可靠性电源方案。
